SIR836DP-T1-GE3 VISHAY（威世）具有低导通电阻、高耐压、高功率耗散等特点

        SIR836DP-T1-GE3是VISHAY（威世）公司生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。以下是对该产品的详细介绍： 

一、基本参数

• 产品种类：MOSFET
• 制造商：Vishay Semiconductors
• 品牌：VISHAY（威世）
• 封装：PowerPAK SO-8
• 晶体管极性：N-Channel（N沟道）
• 通道数量：1 Channel（单通道）

二、电气特性

• Vds-漏源极击穿电压：40 V
• Id-连续漏极电流：21 A
• Rds On-漏源导通电阻：19 mOhms
• Vgs - 栅极-源极电压：-20 V 至 %2B20 V
• Vgs th-栅源极阈值电压：1.2 V
• Qg-栅极电荷：11.8 nC
• Pd-功率耗散：15.6 W

三、温度范围

• zui小工作温度：-55 。C
• zui大工作温度：+150 。C

四、其他特性

• 通道模式：Enhancement（增强型）
• 配置：Single（单配置）
• 系列：SIR
• 安装风格：SMD/SMT（表面贴装技术）
• 下降时间：9 ns
• 上升时间：13 ns
• 典型关闭延迟时间：8 ns
• 典型接通延迟时间：5.15 mm（注意：此处的“mm”可能是单位错误，通常延迟时间用纳秒（ns）表示）

五、物理尺寸

• 高度：1.04 mm
• 长度：6.15 mm
• 宽度：5.15 mm

六、应用与优势

SIR836DP-T1-GE3作为一款高性能的MOSFET，具有低导通电阻、高耐压、高功率耗散等特点，非常适用于需要高效能、高可靠性的电力电子应用，如同步整流、自动化控制、电源管理等场景。

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