SOT-23封装NCE3416新洁能

　　产品型号：NCE3416

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：20V

　　连续漏极电流（最大）；6.5A

　　功率耗散（最大）：1.4W

　　栅源极击穿电压：10V

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：17mΩ

　　封装：SOT-23

　　NCE3416封装：

　　一般特征：

　　VDS=20V,ID=6.5A

　　RDS(ON)<26mΩ@vg=2.5v

　　RDS(ON)<22mΩ@vg=4.5v

　　ESD等级:2000VHBM

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用领域：

　　PWM应用

　　负荷开关

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：