超级结MOSFET NCE65T540K

　　简介：

　　该系列器件采用了先进的沟道栅超结技术和设计，以低栅荷提供优良的RDS(ON)。这种超级结MOSFET适合工业交流-直流SMPS对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的要求。

　　特性：

　　高压器件新技术

　　低导通电阻，低导通损耗

　　小包装

　　极低的门电荷降低了驱动要求

　　100%雪崩测试

　　通过无铅认证

　　应用程序：

　　功率因数校正(PFC)

　　开关电源(SMPS)

　　不间断电源(UPS)

　　绝对最大额定值(TC=25℃)：

　　漏源电压(vg=0V)：650V

　　栅源电压(VDS=0V),AC(f>1Hz)：±30V

　　连续漏电流在Tc=25°C：8A

　　连续漏电流在Tc=100°C：5.2A

　　脉冲漏极电流(注1)：32A

　　最大功耗(Tc=25℃)：69w

　　减免超过25°C：0.55w/℃

　　单脉冲雪崩能量：156mj

　　雪崩电流：1.7A