UM5K1NTR ROHM 场效应管MOSFET

UM5K1NTR ROHM产品概述 UM5K1NTR ROHM是一款高性能双 N 沟道场效应管（MOSFET），由 ROHM（罗姆）公司设计和生产，旨在满足广泛的电子设计需求。该器件在逻辑电平控制下表现优异，适用于多种低功耗和高密度的应用场景。其小型表面贴装型封装（SOT-353/UMT5）确保了较小的电路板占用空间，使其成为紧凑型产品的理想选择。基本规格 UM5K1NTR ROHM的基本参数如下： FET 类型：双 N 沟道（共源配置），优化了开关速度和电源效率。漏源电压（Vdss）：zui高可承受 30V 的漏源电压，适合多种电源电压范围的应用。电流 - 连续漏极 (Id)：额定电流为 100mA，适合小功率驱动和开关应用。导通电阻 (Rds(on))：zui大值为 8Ω，在 10mA，4V 的条件下测量，低导通电阻有助于减少功耗。阈值电压 (Vgs(th))：zui大值为 1.5V@100?A，适合多种逻辑电平驱动。输入电容 (Ciss)：zui大值为 13pF @5V，良好的输入特性确保了高速开关能力。功率 - zui大值：功率耗散上限为 150mW，满足一般信号处理的功率要求。工作温度：zui高出厂测试温度可达 150?C，适合高温环境下的应用。封装类型：配备小型表面贴装封装（SOT-353），实现高效的空间利用率。应用领域 UM5K1NTR ROHM适用于广泛的应用领域，包括但不限于：消费电子产品：如家用电器、音响设备和智能手机等，目前的电子产品日益追求轻便与多功能性，该产品的紧凑型设计满足了这一需求。工业控制：在自动化设备中用作开关元件，控制电流的流入和流出，确保设备的可靠和高效运行。通信设备：用于信号放大和开关，提升设备的工作效率，降低能耗。汽车电子：在汽车电子系统中用于信号控制与功耗管理，尤其是在 IIoT 及电动汽车等新兴领域中，该产品能够提供稳定的性能。性能优势 UM5K1NTR 的设计不仅注重高效的电性能，更关注在不同行业应用中的灵活性与适应性。其zui大允许的漏源电压和电流值，提供了高度的设计灵活性，而较低的导通电阻和输入电容则有助于提高开关速度并减少功耗，使其在快速切换和低延迟应用中具有显著优势。此外，其 150?C 的工作温度范围使其能够在苛刻条件下稳定运行，适合高温环境的工业应用。

型号/规格

UM5K1NTR

品牌/商标

ROHM（罗姆）

封装形式

SOT-363

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装