RV2C002UNT2L ROHM 场效应管(MOSFET)

RV2C002UNT2L ROHM 场效应管(MOSFET) 100mW 20V 180mA 1个N沟道

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RV2C002UNT2L ROHM 类型 N 通道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 20V 25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180mA（Ta）驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） 2 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） 1V @ 100?A Vgs（zui大值） ?10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） 12pF @ 10V 功率耗散（zui大值） 100mW（Ta）工作温度 150?C（TJ）RV2C002UNT2L ROHM

型号/规格

RV2C002UNT2L

品牌/商标

ROHM（罗姆）

封装形式

VML1006

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装