RV2C002UNT2L 场效应管(MOSFET)

RV2C002UNT2L 场效应管(MOSFET) 100mW 20V 180mA 1个N沟道

深圳市百嘉顺实实业有限公司，由几位从ROHM 原厂和 WPG Holdings(大联大集团) 的前高管联合创立，我们专注于ROHM ,整合了广阔的原厂和代理商渠道，积累了国内外非常优质的贸易商和国内终端客户。我们的宗旨是为客户提供一站式服务：不仅提供优质的货源和现货供应，还为您提供原厂工程技术支持。如果您有ROHM的长期需求，请告诉我们，我们非常乐意成为您的供应商之一。我的联系方式：QQ2851127801，电话0755-8278 3089 0755-8278 8489 手机号13798240799 （陈先生-PM），定然不负您所望。

FET 类型 N 通道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 20V 25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180mA（Ta）驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） 2 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） 1V @ 100?A Vgs（zui大值） ?10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） 12pF @ 10V 功率耗散（zui大值） 100mW（Ta）工作温度 150?C（TJ）安装类型表面贴装型RV2C002UNT2L类型 N 通道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 20V 25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180mA（Ta）驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） 2 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） 1V @ 100?A Vgs（zui大值） ?10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） 12pF @ 10V 功率耗散（zui大值） 100mW（Ta）工作温度 150?C（TJ）安装类型表面贴装型RV2C002UNT2L

型号/规格

RV2C002UNT2L

品牌/商标

ROHM（罗姆）

封装形式

VML1006

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装