RE1E002SPTCL ROHM 场效应管(MOSFET)

RE1E002SPTCL ROHM SOT-523 场效应管(MOSFET) 原装现货 长期可供

RE1E002SPTCL ROHM产品概述 基本信息： 是 ROHM（罗姆）公司推出的一款 P 通道 MOSFET，采用 SOT-416 封装，封装类型为表面贴装型。该器件设计用于高效的功率管理和控制应用，适用于需要高可靠性和高温环境下操作的电子设备。 电气参数：RE1E002SPTCL ROHM 安装类型: 表面贴装型，使其适合现代电子产品的小型化设计。 导通电阻 (Rds On): 在 250mA 和 10V 的条件下，zui大导通电阻为 1.4 欧姆，这使得它能在低电流情况下保持较低的功耗。 RE1E002SPTCL ROHM驱动电压: 器件的zui大 Rds On 和zui小 Rds On 驱动电压分别为 4V 和 10V，支持多种控制电压的电路设计。 连续漏极电流 (Id): 在 25?C 的环境温度下，该 MOSFET 的zui大连续漏极电流为 250mA，适应多种使用场景。 输入电容 (Ciss): 在 10V 的情况下，器件的zui大输入电容为 30pF，这使得其具备快速开关特性，适合高频应用。 阈值电压 (Vgs(th)): 在 1mA 时，该器件的zui大阈值电压为 2.5V，支持多种输入信号的兼容性。 漏源电压 (Vdss): zui大漏源电压为 30V，确保其在多种功率电路中的应用安全可靠。 功率耗散: 该 MOSFET 在 25?C 环境温度下的zui大功耗为 150mW，适合在限制功率和高温的情况下运作。 工作环境： RE1E002SPTCL RPHM的工作温度范围可达 150?C，适合应对高温工作环境的挑战，例如汽车电子、工业控制和某些消费电子产品。其出色的热稳定性为设计师提供了更大的灵活性和设计安全性。 应用领域： 由于其卓越的性能和设计特性，RE1E002SPTCL 适用于多种应用场景，包括但不限于： 电源管理: 能够有效控制电源开关，降低能耗，提升能量效率。 信号开关: 适用于数据信号的选择与开关操作，确保信号传输的完整性。 驱动电路: 尤其是在小马达或LED驱动的应用中，能够提供灵活控制，确保设备的高效运作。 便携式设备: 由于其小巧的封装和低功耗特性，适合应用于智能手机、便携式音频设备等