RUM001L02T2CL 场效应管(MOSFET)

RUM001L02T2CL 场效应管(MOSFET) 150mW 20V 100mA 1个N沟道 SOT-723

RUM001L02T2CL 产品概述 产品名称: RUM001L02T2CL 类型: N沟道MOSFET 封装: SOT-723 (VMT3) 品牌: ROHM（罗芯） 1. 产品背景 RUM001L02T2CL是一款先进的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为需要小功率控制的电子电路设计。凭借其卓越的电气性能和高温稳定性，这款MOSFET在各种应用中表现出色，如开关电源、马达驱动和工业控制等领域。 2. 主要电气特性 漏源电压（Vdss）: 20V 该参数说明了MOSFET能够承受的zui大漏源电压，20V的额定值使其适合于低到中等电压的电路设计。 连续漏极电流（Id）: 100mA（在25?C条件下） RUM001L02T2CL能够提供zui大100mA的连续电流，这使其能够满足许多小功率负载应用的需求。 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 100?A 该值表示触发MOSFET导通所需的zui小栅源电压，对于高效能电源和开关应用非常重要。 漏源导通电阻（Rds(on)）: zui大3.5Ω @ 100mA, 4.5V 低导通电阻意味着在开关状态下的功率损耗较小，这在提升整体效率和降低热量产生方面至关重要。 功率耗散（zui大值）: 150mW（在25?C下） 该MOSFET的功率耗散能力适合大多数小功率应用，能够有效减少由于自热引起的性能损失。 工作温度范围: 可达150?C（TJ） 优良的热稳定性与较高的工作温度范围，使得RUM001L02T2CL在恶劣环境下也能正常工作，适用于汽车电子及工业控制器等需求苛刻的场景。 3. 封装与安装 L采用SOT-723封装，体积小巧，非常适合空间受限的电路板设计。表面贴装技术（SMT）使得其在自动化生产线上的装焊更加简便高效，能够减少人工成本和提高产量。 4. 应用领域 性能参数使其适用于多种应用场景，包括但不限于： 开关电源: 在电源管理中用作开关元件。 LED驱动: 用于驱动LED照明，以实现高效能和长寿命的照明解决方案。 电机控制: 在小型电机驱动的控制电路中进行功率调节。 自动化设备: 用于工业自动化和智能家居设备中，实现高效控制。 5. 优势与竞争力 相较于市场上同类产品，具备以下竞争优势： 高温耐受性: 150?C的工作温度极大地扩展了其应用范围。 高效能导通: 较低的Rds(on)帮助降低系统的总能耗。 紧凑的封装设计: SOT-723封装在封装体积和性能之间取得了良好平衡。