US6K4TR 场效应管(MOSFET)

US6K4TR 场效应管(MOSFET) 1W 20V 1.5A 2个N沟道

产品概述：US6K4TR - ROHM 1W 20V 1.5A N通道MOSFET 一、产品简介 US6K4TR是一款由ROHM（罗姆）公司制造的高性能场效应管（MOSFET），其封装类型为TUMT6，专为高效能应用设计。该MOSFET在开启状态下提供低导通电阻，使其在小型电子设备中的应用如开关电源、马达驱动、以及其他需要高频率开关的电路中表现卓越。US6K4TR是一款双N通道FET，具备出色的电气性能和优势，使其成为众多电子设计中不可或缺的组件。 二、关键参数 电气特性： 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=4.5V和Id=1.5A时，zui大导通电阻为180毫欧，确保了低功耗和高效能的要求。 漏源电压（Vdss）：能够承受的zui大漏源电压为20V，适合多种低压应用场景。 连续漏极电流（Id）：在额定条件下，zui大可持续电流为1.5A，适合中等负载应用。 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在1mA时的zui大栅极阈值电压为1V，表明该器件在低电压下依然能够快速开启，提高电路响应速度。 输入和驱动特性： 输入电容（Ciss）：在10V时，zui大输入电容为110pF，表明该FET在高频操作时的适应能力，降低了驱动损耗。 栅极电荷（Qg）：在Vgs=4.5V时的栅极电荷zui大值为2.5nC，优良的栅极驱动特性使其适应于快速开关应用。 温度耐受性： 工作温度范围：US6K4TR的工作温度可达150?C（TJ），适合高温环境下的长期稳定运行，特别是在汽车电子或工业控制等要求严苛的应用中。 功率特性： 功率zui大值：该MOSFET能够处理的zui大功率为1W，适合低功耗和高效能的电路设计。 三、应用领域 US6K4TR广泛应用于各类电子产品中，包括但不限于： 开关电源：在逆变器及DC-DC转换器中，用作开关元件，提供高效的能量转换。 马达驱动：适用于小型直流电动机的控制，能够快速响应马达负载变化，提升效率。 LED驱动：在LED照明设计中，该MOSFET可控制LED亮度，同时降低散热问题。 电池管理系统：在电池充电与放电过程控制中，提供快速而稳定的开关能力。 四、产品优势 高效能：zui低的导通电阻减少了功耗，提升了系统的整体能效。 快速响应：较低的栅极电荷帮助实现更快的开关速度，适用于高频应用。 耐高温：高达150?C的工作温度使其适应环境变化，保证长久稳定使用。 紧凑封装：TUMT6封装设计使其适合现代小型化电子产品。