供应K4W1G1646E-HC12 原装 gDDR3 SDRAM

地区:广东 深圳
认证:

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K4W1G1646E-HC12 原装 gDDR3 SDRAM

 E-die   8Banks   1.5V ± 0.075V  Mass Production

 

我司供应的产品包含SAMSUNG(三星)DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMCeMCP等全系列存储产品。

 

K4UBE3D4AA-MGCR 原装 LPDDR4X  的技术参数:

制造商

SAMSUNG

容量

1GB,8K/64ms

速度

1.25ns   (1.6Gbps)

存储类型

gDDR3 SDRAM

架构

64M* 16

工作电压

1.5V

封装

PBGA-96

Halogen Free & Lead Free

 

 

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K4A8G165WB-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

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K4A4G165WE-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

H9HCNNNCPUMLHR-NME 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

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H9HCNNNBPUMLHR-NMN 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H9HCNNNBKUMLHR-NME 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H26M41208HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H26M41204HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

MTFC8GAKAJCN-4MIT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

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THGBMNG5D1LBAIL 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

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THGBMJG6C1LBAIL 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

THGBMHG6C1LBAIL 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58NVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

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TC58NVG0S3ETAI0 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

 

 

 

型号

K4W1G1646E-HC12

制造商

SAMSUNG/三星

封装

FBGA

批次

22+

无铅/环保

无铅/环保