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产品属性
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K4B4G0446D-BCMA 原装 DDR3
The 4Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 128Mbit x 4 I/Os x 8banks or 64Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133Mb/sec/pin (DDR3- 2133) for general applications
制造商 |
SAMSUNG |
速度 |
1866 Mbps |
电源电压 |
1.35 V |
温度规格 |
0 ~ 85 °C |
产品类型 |
DDR3 SDRAM |
容量 |
4 GB |
架构 |
1G x 4 |
封装 |
FBGA-78 |
KMGX6001BA-B514 |
SAMSUNG/三星 |
KMGP6001BA-B514 |
SAMSUNG/三星 |
KMFN60012M-B214 |
SAMSUNG/三星 |
KMDX60018M-B425 |
SAMSUNG/三星 |
KLMDG8JENB-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLMCG4JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
K9F1G08U0E-SIB0 |
SAMSUNG/三星 |
K4Z80325BC-HC14 |
SAMSUNG/三星 |
K4G80325FC-HC25 |
SAMSUNG/三星 |
K4E8E324ED-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304ED-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EC-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G1646E-BYMA |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G1646E-BYK0 |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
K4E8E324EB-AGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G0846E-BYMA |
SAMSUNG/三星 |
K4AAG165WA-BCWE |
SAMSUNG/三星 |
K4AAG165WA-BCTD |
SAMSUNG/三星 |
K4A8G165WC-BCTD |
SAMSUNG/三星 |
K4A8G165WC-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
K4A4G165WF-BCTD |
SAMSUNG/三星 |
K4A4G165WE-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G0446D-BCMA
SAMSUNG/三星
FBGA
21+/22+
无铅/环保
供应MT41K128M16JT-125 IT:K LPDDR3 原装
MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR 原装 LPDDR
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