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三代双倍数据率同步动态随机存储器K4B2G1646F-BYMA DDR3
K4B2G1646F-BYMA 的技术参数:
制造商 : SAMSUNG
工作电压 : 1.35v
框架 : 128M x 16
速率 : 1866Mbps
封装 : 96FBGA
容量 : 2Gb
EU RoHS : Compliant
ECCN (US) : EAR99
Part Status : LTB
Automotive : No
PPAP : No
DRAM Type : DDR3 SDRAM
Chip Density (bit) : 2G
Organization : 128Mx16
Number of Internal Banks : 8
Number of Words per Bank : 16M
Supplier Package : FBGA
Pin Count : 96
Standard Package Name : BGA
Mounting : Surface Mount
Package Length : 13.3
Package Width : 7.5
PCB changed : 96
Lead Shape : Ball
全新原包原装可含税(香港可交)
KLMBG2JETD-B041
KLMAG1JETD-B041
KLM8G1GETF-B041
KLM4G1FETE-B041
K4E8E324EB-EGCF
K4E6E304EB-EGCF
K4E6E304EC-EGCG
K4B4G1646E-BCNB
K4A8G165WB-BCRC
K4B2G1646F-BCMA
SAMSUNG/三星
BGA
23+
无铅/环保