供应K4A4G165WE-BCWE 原装 DDR4

K4A4G165WE-BCWE 原装 DDR4 的技术参数：

先进工艺技术

减少内核及通电/断电次数

凭借三星业界先进的 1x 纳米制程技术，DDR4 可在提高性能、降低总体拥有成本的同时减少能耗。1.2V POD ( 低操作电压和伪漏极开路 ) 接口可实现更低的功耗，其能耗降低了 25%*。

先进工艺技术

减少内核及通电/断电次数

凭借三星业界先进的 1x 纳米制程技术，DDR4 可在提高性能、降低总体拥有成本的同时减少能耗。1.2V POD ( 低操作电压和伪漏极开路 ) 接口可实现更低的功耗，其能耗降低了 25%*。

安全的 CRC 传输

利用奇偶校验位来防止出错

随着数据中心要处理的流量越来越多，系统可靠性也变得越来越重要。三星 DDR4 的先进功能可确保卓越的数据传输，例如， 写入循环冗余校验 (Write CRC) 可帮助识别多位故障，而针对命令 (CMD)/地址 (ADD) 通路的奇偶校验检查则可防止系统发生故障。

DDR4 是否比 DDR3 更值得配置？

DDR4 是一种设计为比 DDR3 更好、更快、更可靠的替代存储器标准。DDR4 模组 (DIMM) 在外形上与 DDR3 DIMM 极为相似。不同的是，DDR4 具有 288 个引脚，而 DDR3 只有 240 个引脚；DDR4 SO-DIMM 具有 260 个引脚，而 DDR3 只有 204 个。DDR4 的卡入槽口位于不同的位置，边缘连接器类似于轻微弯曲的“V”以方便插入。由于采用这种设计，插入时需要的力度更小，因为在插入模组过程中并非所有的引脚都需要同时啮合。DDR4 模组的能效更高，工作电压仅为 1.2V，而 DDR3 的工作电压为 1.5V 或 1.35V。由于耗电量更低，因此可以节省大量的电力，无需更高的电力和冷却要求即可更加高速地运行。DIMM 密度以 2 GB 起步，可以高达 128 GB，相比 DDR3 只有 512 MB 至 32 GB 的容量实现了巨大飞跃。适用于嵌入式和工业应用的新型 DDR4 模组可实现高达 3200 MT/s 的高速数据传输。例如，DDR4-3200（ATP 公司的新型工业级 DDR4 ）的传输速率比 DDR3-1866（当前较快的 DDR3 版本之一）快 70% 左右，实现了理论峰值性能的巨大提升。