供应 H5PS1G83KFR-S5C DDR2原装

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 H5PS1G83KFR-S5C DDR2原装 动态随机存储器


 H5PS1G83KFR-S5C DDR2原装 的技术参数: 

制造商

SK HYNIX

RoHS

工作电压

1.8 V

容量

1 GB

工作温度

0°C~+95°C

DRAM 类型

DRAM DDR2

架构

128Mx8

 

SKhynix广泛的低功耗DRAM组合,包括LPDDR4和LPDDR4X,不仅适用于智能手机,也适用于消费电子产品,从数码相机到便携式游戏和导航设备,甚至汽车信息娱乐和先进的驱动辅助系统。

DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

 

MT29F64G08CBABBWPR:B

KLMBG2JETD-B041

KLMAG1JETD-B041

KLM8G1GETF-B041

KLM4G1FETE-B041

K4E8E324EB-EGCF

K4E6E304EB-EGCF

K4E6E304EC-EGCG

K4B4G1646E-BCNB

K4A8G165WB-BCRC

型号

H5PS1G83KFR-S5C

制造商

SAMSUNG/三星

封装

FBGA

批次

22+

无铅/环保

无铅/环保