BSM50GX120DN2 IGBT 模块

BSM50GX120DN2 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 78 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 400 W
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
技术: Si
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
单位重量: 197.622

BSM50GX120DN2 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 78 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 400 W
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
技术: Si
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
单位重量: 197.622

BSM50GX120DN2 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 78 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 400 W
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
技术: Si
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
单位重量: 197.622

BSM50GX120DN2 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 78 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 400 W
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
技术: Si
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
单位重量: 197.622