BSM50GD120DN2 IGBT 模块

BSM50GD120DN2 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 72 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 350 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2A
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
技术: Si
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
单位重量: 250.125 g

BSM50GD120DN2 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 72 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 350 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2A
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
技术: Si
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
单位重量: 250.125 g

BSM50GD120DN2 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 72 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 350 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2A
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
技术: Si
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
单位重量: 250.125 g

BSM50GD120DN2 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 72 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 350 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2A
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
技术: Si
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
单位重量: 250.125 g