FP50R06W2E3 IGBT模块原装

FP50R06W2E3 IGBT模块原装

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: IGBT-Inverter
集电极—发射极max电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.45 V
在25 C的连续集电极电流: 65 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
封装 / 箱体: Module
mini工作温度: - 40 C
max工作温度: + 150 C
封装: Tray
系列: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3
技术: Si
商标: Infineon Technologies
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极max电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
商标名: EasyPIM
零件号别名: SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1
单位重量: 39 g

FP50R06W2E3 IGBT模块原装

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: IGBT-Inverter
集电极—发射极max电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.45 V
在25 C的连续集电极电流: 65 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
封装 / 箱体: Module
mini工作温度: - 40 C
max工作温度: + 150 C
封装: Tray
系列: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3
技术: Si
商标: Infineon Technologies
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极max电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
商标名: EasyPIM
零件号别名: SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1
单位重量: 39 g

FP50R06W2E3 IGBT模块原装

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: IGBT-Inverter
集电极—发射极max电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.45 V
在25 C的连续集电极电流: 65 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
封装 / 箱体: Module
mini工作温度: - 40 C
max工作温度: + 150 C
封装: Tray
系列: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3
技术: Si
商标: Infineon Technologies
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极max电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
商标名: EasyPIM
零件号别名: SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1
单位重量: 39 g