FZ800R12KE3 IGBT 模块

FZ800R12KE3 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 800 A
封装 / 箱体: 62 mm
工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 36.5 mm
长度: 106.4 mm
系列: Trenchstop IGBT3 - E3
技术: Si
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
单位重量: 340 g

FZ800R12KE3 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 800 A
封装 / 箱体: 62 mm
工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 36.5 mm
长度: 106.4 mm
系列: Trenchstop IGBT3 - E3
技术: Si
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
单位重量: 340 g

FZ800R12KE3 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 800 A
封装 / 箱体: 62 mm
工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 36.5 mm
长度: 106.4 mm
系列: Trenchstop IGBT3 - E3
技术: Si
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
单位重量: 340 g

FZ800R12KE3 IGBT 模块

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 800 A
封装 / 箱体: 62 mm
工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 36.5 mm
长度: 106.4 mm
系列: Trenchstop IGBT3 - E3
技术: Si
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
单位重量: 340 g