BSM200GB60DLC IGBT 模块

BSM200GB60DLC IGBT 模块 

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极max电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 230 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 445 W
封装 / 箱体: 32 mm
mini工作温度: - 40 C
max工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
技术: Si
宽度: 34 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极max电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: SP000100475 BSM200GB60DLCHOSA1
单位重量: 160 g

BSM200GB60DLC IGBT 模块 

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极max电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 230 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 445 W
封装 / 箱体: 32 mm
mini工作温度: - 40 C
max工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
技术: Si
宽度: 34 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极max电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: SP000100475 BSM200GB60DLCHOSA1
单位重量: 160 g

BSM200GB60DLC IGBT 模块 

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极max电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 230 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 445 W
封装 / 箱体: 32 mm
mini工作温度: - 40 C
max工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
技术: Si
宽度: 34 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极max电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: SP000100475 BSM200GB60DLCHOSA1
单位重量: 160 g