IPI65R380C6 TO-262-3 mos管N沟道

型号：IPI65R380C6

产品属性属性值选择属性

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 700 V
Id-连续漏极电流: 10.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C6
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 11 ns
高度: 9.45 mm
长度: 10.2 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 110 nS
宽度: 4.5 mm
零件号别名: IPI65R38C6XK SP000785080 IPI65R380C6XKSA1

单位重量: 2.387 g

产品属性属性值选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 700 V
Id-连续漏极电流: 10.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C6
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 11 ns
高度: 9.45 mm
长度: 10.2 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 110 nS
宽度: 4.5 mm
零件号别名: IPI65R38C6XK SP000785080 IPI65R380C6XKSA1
单位重量: 2.387 g

型号/规格

IPI65R380C6

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

TO-262-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

产品种类

MOSFET 场效应管 N沟道

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

700 V

Id-连续漏极电流

10.6 A

Rds On-漏源导通电阻

380 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

温度

- 55 C~150 C

供应IPI65R380C6 TO-262-3 mos管N沟道