N沟道100V功率MOSFET

　　N沟道100V功率MOSFET是一种高压、高效率的功率半导体器件，用于开关或线性模式的直流电路控制。

　　N沟道100V功率MOSFET
　　型号：GMN04210M
　　品牌：固锝GOOD-ARK
　　100%雪崩测试
　　极低损耗，FOM Rdson*Qg低
　　无卤素、无铅

　　符合RoHS标准

　　应用：
　　DC-DC
　　电机、灯具

　　电源切换

　　jue对zui大额定值（TJ=25°C，除非另有说明）：
　　漏极-源极电压：100V
　　栅源电压：±20V
　　漏极电流，连续VGS=10V
　　TC=25°C:109A
　　TC=100°C:69A
　　脉冲漏极电流（注1）：436 A
　　单次雪崩能量（注2）：625 mJ
　　功耗
　　TC=25°C:115W
　　TC=100°C:46W

　　工作接点/存储温度范围：-55至+150°C

　　封装说明：

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