n沟道mosfet管

　　N沟道MOSFET是一种通过在N型半导体材料上形成一个P型的反型层作为通道来工作的电子元件。当有足够的正栅极电压（相对于源极）施加时，可以允许电流从源极流向漏极。N沟道MOSFET通常用于开关和放大应用中。

　　n沟道mosfet管

　　品牌：固锝电子
　　封装：TO-263AB(D2PAK)
　　100%Avalanche Tested
　　损耗极低，FOM Rdson*Qg低
　　无卤素、无铅

　　符合RoHS标准

　　应用：
　　直流/直流
　　电机、灯具

　　电源切换

　　jue对zui大额定值（TJ=25°C，除非另有说明）：
　　漏极-源极电压：80V
　　栅源电压：±20V
　　连续漏电流
　　VGS=10V：
　　TC=25°C:164A
　　TC=100°C:104A
　　脉冲漏极电流：656A
　　单次雪崩能量：600mJ
　　功耗：
　　TC=25°C:208W
　　TC=100°C:83W

　　工作接点/存储温度范围：-55至+150°C

　　热特性：

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