N沟道功率MOSFET

　N沟道功率MOSFET
　　型号：AGMN05804DR
　　品牌：固锝GOOD-ARK
　　100%雪崩测试
　　极低损耗，FOM Rdson*Qg低
　　符合RoHS标准，无卤素，无铅
　　AEC-Q101合格

　　MSL 1

　　应用：
　　汽车系统
　　电机、灯和电磁阀控制

　　超高性能电源切换

　　jue对zui大额定值（TJ=25°C，除非另有说明，单侧）：
　　漏极-源极电压：40V
　　栅源电压：±20V
　　漏极电流，连续VGS=10V：
　　TC=25°C:72A
　　TC=100°C:51A
　　脉冲漏极电流：288A
　　单次雪崩能量：200mJ
　　功耗：
　　TC=25°C:68W
　　TC=100°C:34W

　　工作接点和储存温度范围：-55至+175°C

　　苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自

主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括zui新封装技术的无引脚集成电路产

品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、

微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿

色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，

研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。