低压mos场效应管

　　低压MOS场效应管是一种特别设计用于在较低电压条件下工作的金属氧化物半导体场效应晶体管，广泛应用于电源管理、信号切换、电机控制以及便携式电子设备等领域。

　　低压mos场效应管参数：
　　型号：GMN03003LD
　　品牌：固锝GOOD-ARK
　　AEC-Q：NO
　　Package：TO-252(D-PAK)
　　Status：Developing
　　Configuration：Single_N
　　VDS(V)：30
　　Id(A)：139
　　Rdson10V(mΩ)Typ：2.3
　　Rdson10V(mΩ)Max：3
　　Rdson4.5V(mΩ)Typ：3.3
　　Rdson4.5V(mΩ)Max：4.4

　　Vth(V)：1.7

　　低压mos场效应管图片：

　　选择因素：

　　当选择适合特定应用的低压MOSFET时，工程师们需要考虑多个参数，包括但不限于最大漏源电压(Vds)、最大连续漏电流(Id)、导通电阻(Rds(on))、阈值电压(Vgs(th))、总栅极电荷(Qg)、开关时间(t_on,t_off)，以及温度范围和封装形式。

　　苏州固锝注册资本80788.6616万元人民币。总占地面积20万平方米，总资产24.02亿元人民币，2020年公司实

现销售收入9.21亿元，实现净利润7755.27万元人民币，上交税费2278.73万元人民币。公司现拥有职工2800余人.

2006年11月16日，苏州固锝电子股份有限公司在深圳证券交易所成功上市，股票简称："苏州固锝",股票代码："00

2079"。公司下辖子公司9个，分别为：苏州晶银新材料股份有限公司、苏州明皜传感科技有限公司、苏州固锝新

能源科技有限公司、苏州硅能半导体科技股份有限公司、江苏艾特曼电子科技有限公司、AICSemiconducto，苏州

华锝半导体有限公司，锝盛易（苏州）精密科技有限公司，宿迁固德半导体有限公司。