70A，650V超级结功率MOSFET

　    70A，650V超级结功率MOSFET
　　100%雪崩测试
　　改善dv/dt
　　较低Rds（打开），较低Qg
　　符合RoHS指令2011/65/EU和WEEE 2002/96/EC
　　根据IEC 61249-2-21，无卤素

　　AEC-Q101合格

　　应用：
　　逆变器
　　太阳能
　　开关电源/电信

　　电动汽车充电器

　　jue对zui大额定值（除非另有说明，否则TA=25°C）：
　　漏极-源极电压：650V
　　栅源电压：±30V
　　注1 TC=25°C时的漏电流连续：70 A
　　漏极电流脉冲 注2 IDM 230 A
　　单脉冲雪崩Energy Note3：4202毫焦耳
　　雪崩电流：20.5 A
　　功耗（TC=25°C）：500 W

　　工作温度/储存温度：-55~+150°C

　　电气特性（除非另有说明，否则TA=25°C时）：

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