P沟道功率MOSFET

　　P沟道功率MOSFET是一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。

　　P沟道功率MOSFET参数：
　　型号：AGMP01506D
　　品牌：GOOD-ARK固锝
　　封装：TO-252(D-PAK)
　　100%雪崩测试
　　极低损耗，FOM Rdson*Qg低
　　符合RoHS标准，无卤素，无铅
　　AEC-Q101合格

　　MSL1

　　AEC-Q：YES

　　应用：
　　汽车系统
　　电机、灯和电磁阀控制

　　超高性能电源切换

　　jue对zui大额定值（TJ=25°C，除非另有说明）：
　　漏极-源极电压：-60V
　　栅源电压：±20V
　　漏极电流，连续VGS=-10V：
　　TC=25°C:-60A
　　TC=100°C:-42A
　　脉冲漏极电流：-240A
　　单次雪崩能量：484mJ
　　功耗：
　　TC=25°C:107W
　　TC=100°C:53W
　　工作接点/存储温度范围：-55至+175°C

　　热特性：

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