晶体管 SI4116DY-T1-GE3 MOSFET - 单

SI4116DY-T1-GE3介绍：

描述 MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装   带卷（TR）  

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.6 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 56nC @ 10V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），5W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。

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