晶体管 IRL3103S MOSFET - 单

IRL3103S介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装   带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 12 毫欧 @ 34A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1650pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 94W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。