晶体管 PHD38N02LT 半导体产品

PHD38N02LT介绍：

描述 MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

制造商标准提前期 16 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 44.7A（Tc） 57.6W（Tc） DPAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 TrenchMOS™

包装   带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 44.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 25A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15.1nC @ 5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 57.6W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

恩智浦(NXP)自2006年9月1日起，成为全球半导体市场的独立领导厂商之一。名称中蕴含着 "新的体验"(Next Experience)的意义，禀承英文品牌的精神， 中文名称中的"浦"字，强调恩智浦累积过去在飞利浦53年以来的珍贵经验与丰富资源。