晶体管 UM6K1NTN MOSFET - 阵列

UM6K1NTN介绍：

描述 MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363

详细描述 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 100mA 150mW 表面贴装 UMT6

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装   带卷（TR） 

零件状态 不適用於新設計

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13pF @ 5V

功率 - 最大值 150mW

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装 UMT6

基本零件编号 *K1

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