晶体管 SI6562CDQ-T1-GE3 MOSFET

SI6562CDQ-T1-GE3介绍：

描述 MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

详细描述 Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装   带卷（TR）  

零件状态 在售

FET 类型 N 和 P 沟道

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A，6.1A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 5.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 850pF @ 10V

功率 - 最大值 1.6W，1.7W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装 8-TSSOP

基本零件编号 SI6562

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

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