晶体管 FDS3590 FET-MOSFET

地区:广东 深圳
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FDS3590介绍:

描述 MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC

制造商标准提前期 16 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 80V 6.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装     带卷(TR)  

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 39 毫欧 @ 6.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1180pF @ 40V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面,其次是阻抗匹配、信号转换等,晶体管在电路中是个很重要的元件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。


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型号/规格

FDS3590

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

8-SOIC

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率