晶体管 BSS138LT3 MOSFET

地区:广东 深圳
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BSS138LT3介绍:

描述 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23

制造商标准提前期 40 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 50V 200mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装    带卷(TR) 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 50V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.5 欧姆 @ 200mA,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 225mW(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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晶体管实际上是所有现代电器的关键活动(active)元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力,因而可以不可思议地达到极低的单位成本。


公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的强大网络。


型号/规格

BSS138LT3

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率