晶体管 SI4800BDY-T1-E3 表面贴装

SI4800BDY-T1-E3介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

制造商标准提前期 33 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装    带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 18.5 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 5V

Vgs（最大值） ±25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

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