晶体管 NTHD3101FT1G MOSFET

NTHD3101FT1G介绍：

描述 MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

制造商标准提前期 32 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Tj） 1.1W（Ta） ChipFET™

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装     带卷（TR）  

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.2A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 80 毫欧 @ 3.2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 10V

FET 功能 肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 ChipFET™

封装/外壳 8-SMD，扁平引线

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

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