晶体管 IRF6216TRPBF 半导体产品

IRF6216TRPBF介绍：

描述 MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC

详细描述 表面贴装 P 沟道 150V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装  带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 240 毫欧 @ 1.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 49nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1280pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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