晶体管 BSZ018NE2LS MOSFET - 单

BSZ018NE2LS介绍：

描述 MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装    带卷（TR）  

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.8 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 36nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 12V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL

封装/外壳 8-PowerTDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。