事件:2012年10月,已经有7家芯片厂商携商用产品加入TD-LTE试验网,TD-LTE产业链进一步完善。(欲详细了解型号LNK364PN,可以点击链接https://www.dzsc.com/ic/sell_search.html?keyword=LNK364PN&ic_sel=supplygoods&Submit=%26nbsp%3B)
早在2012年5月,TD-LTE第二阶段规模试验正式结束,该阶段试验的重点是测试多模互操作,多模芯片的性能是测试的主要项目。根据中国移动公布的结果,TD-LTE第二阶段规模试验已经取得成功,多模芯片的性能得到了验证。
8月,中国移动启动了TD-LTE扩大规模试验的终端招标,TD-LTE芯片将首次大规模应用。同时,包括高通在内的多家厂商表示,将于2013年推出28nm工艺的TD-LTE芯片。
点评:芯片性能一直是TD-LTE产业链发展的短板。早在TD-SCDMA发展初期,由于芯片性能不过关给用户体验造成的影响,一直持续到今天。
因此,在TD-LTE发展之初,中国移动就非常重视芯片的发展。TD-LTE芯片发展的关键因素包括:多模芯片的成熟、国际厂商的参与、28nm工艺的应用。2012年,在产业链的共同努力下,这三方面因素都取得了突破。有表示,TD-LTE芯片将于2014年进入爆发期。
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