事件：2012年10月，已经有7家芯片厂商携商用产品加入TD-LTE试验网，TD-LTE产业链进一步完善。(欲详细了解型号LNK364PN，可以点击链接https://www.dzsc.com/ic/sell_search.html?keyword=LNK364PN&ic_sel=supplygoods&Submit=%26nbsp%3B)
早在2012年5月，TD-LTE第二阶段规模试验正式结束，该阶段试验的重点是测试多模互操作，多模芯片的性能是测试的主要项目。根据中国移动公布的结果，TD-LTE第二阶段规模试验已经取得成功，多模芯片的性能得到了验证。
8月，中国移动启动了TD-LTE扩大规模试验的终端招标，TD-LTE芯片将首次大规模应用。同时，包括高通在内的多家厂商表示，将于2013年推出28nm工艺的TD-LTE芯片。
点评：芯片性能一直是TD-LTE产业链发展的短板。早在TD-SCDMA发展初期，由于芯片性能不过关给用户体验造成的影响，一直持续到今天。
因此，在TD-LTE发展之初，中国移动就非常重视芯片的发展。TD-LTE芯片发展的关键因素包括：多模芯片的成熟、国际厂商的参与、28nm工艺的应用。2012年，在产业链的共同努力下，这三方面因素都取得了突破。有表示，TD-LTE芯片将于2014年进入爆发期。
|UPC3218GV-E1-A|ULN2003L|UC3843BD1R2G|TPS40200DR|TDA7266SA|STPS30H100CW|STWH13009|MAX3232EEAE|IDT821004JG8|LNK364PN|
免责声明: 凡注明来源本网的所有作品，均为本网合法拥有版权或有权使用的作品，欢迎转载，注明出处。非本网作品均来自互联网，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。
