奇梦达5纳米512Mbit低功耗DRAM问世，瞄准便携设备应用

      存储产品供应商奇梦达公司日前宣布开始提供全新的75纳米工艺512Mbit低功耗DRAM样品。Mobile RAM产品是一种超低功耗的DRAM，与同等密度的标准DRAM相比，功耗低80%，主要用于智能手机和多功能手机、便携式GPS设备、数码相机和MP3播放器等移动产品。 
      奇梦达的低功耗DRAM产品系列用超低待机和操作功耗来延长电池使用时间，另一产品的优势是它的超小封装尺寸，能够满足对空间受限的应用需求。这些特性使其成为快速增长的超低功耗DRAM市场的理想选择。据市场分析家iSuppli预测，对低功耗DRAM的需求量将从2007年2.38亿512Mbit约当量增加至2010年的12亿512Mbit约当量（年均复合增长率为71%）。
      奇梦达采用75纳米低功耗沟槽工艺平台，该平台是公司所有75纳米低功耗DRAM产品系列的基础。新型Mobile-RAM采用非常有弹性的设计概念，将DDR与SDR接合以及x16和x32两种界面放入同一个芯片设计，在后端封装测试前采用bond option技术决定产品最终的接合(DDR或SDR)和界面(x16或x32 )。新型Mobile DRAM 也具备单/双面焊垫(pad out)接合版本，能配合任何组件级封装、多重芯片封装（MCP）、或系统级封装（SIP）。奇梦达的512Mbit低功耗RAM针对MCP与SIP解决方案提供的品质，同时实现功耗，从而延长手持设备的电池使用时间。
      奇梦达提供的样品是组件和KGD（known good die）晶圆。