市场分析机构 Counterpoint 作出预测,长鑫存储在去年实现大幅增产的基础上,今年其 DRAM 内存产能将进一步同比增长近 50%。这一显著的产能提升,彰显了长鑫存储在技术研发、生产制造等方面的强大实力。
从市场份额来看,长鑫存储的发展成果也十分亮眼。截至今年一季度,长鑫存储按比特出货量计算的市场占有率为 6%。而 Counterpoint 预计,到今年年末,这一市占率将提升至 8%。这一增长态势,不仅体现了长鑫存储产品在市场上的认可度不断提高,也反映出其在市场竞争中逐渐扩大优势。
值得注意的是,长鑫存储在产品结构上也进行了积极的调整。今年,长鑫存储的产能将加速从 DDR4/LPDDR4 向 DDR5/LPDDR5 过渡。DDR5 和 LPDDR5 作为新一代的 DRAM 内存技术,具有更高的性能和更低的功耗,能够更好地满足市场对于高性能、低功耗电子产品的需求。在出货量方面,DDR5 和 LPDDR5 的市场份额将从一季度的 1% 左右分别提升到 7% 和 9%。这一变化表明,长鑫存储紧跟市场趋势,积极推动产品的升级换代,以适应不断变化的市场需求。
从行业发展的角度来看,长鑫存储的快速发展对于全球 DRAM 内存市场格局将产生重要影响。随着长鑫存储产能的增加和市场份额的扩大,将加剧市场竞争,促使其他厂商加快技术创新和产品升级的步伐。同时,长鑫存储的发展也为国内半导体产业的发展注入了强大动力,有助于提升我国在全球半导体产业中的地位。
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