三星推进 NAND 工艺升级至 V9，V10 量产进度受技术阻碍放缓

　　据韩媒 sisajournal - e 当地时间 6 月 19 日报道，三星电子正积极推动现有较旧的 NAND 闪存生产设施向目前最先进的第九代 V - NAND（286 层）转换。
　　目前，三星电子正在为其韩国平泽 P1 晶圆厂的 NAND 产能从 V6 更新至 V9 进行设备投资。同时，三星也在考虑将中国西安 X2 晶圆厂从目前的 V7 / V8 升级至 V9。这一系列举措旨在应对 AI 服务器对高容量 QLC 企业级 SSD 需求短暂低潮后的复苏。随着人工智能技术的不断发展，AI 服务器对于存储容量和性能的要求越来越高，高容量 QLC 企业级 SSD 的市场需求有望在未来迎来新一轮的增长。三星电子提前布局，通过升级 NAND 闪存工艺，能够更好地满足市场对于高容量存储产品的需求，提高自身在存储芯片市场的竞争力。
　　然而，三星电子在下一代 NAND 闪存工艺的发展上遇到了一些阻碍。报道显示，三星电子放缓了下一代 400 + 层 NAND 闪存工艺 V10 的量产进度。这主要是由于超低温蚀刻技术导入遇阻，该技术难题可能导致 V10 NAND 量产线的投资建设计划延至 2026 年上半年。超低温蚀刻技术是实现更高层数 NAND 闪存工艺的关键技术之一，其技术难度较大，研发周期较长。三星电子在该技术上遇到问题，使得 V10 工艺的量产时间不得不推迟。
　　从市场竞争的角度来看，三星电子推进 NAND 工艺向 V9 转换，能够在短期内保持其在存储芯片市场的技术领先地位。但 V10 量产节奏的放缓，可能会给竞争对手带来一定的机会。其他存储芯片厂商可能会加快自身技术研发和量产的步伐，从而缩小与三星电子在技术上的差距。