SK 海力士聚焦 HBM 市场，搁置 1c DRAM 内存量产设备采购计划

　　据韩国媒体 the bell 当地时间本月 12 日报道，在 HBM（高带宽内存）市场占据领先地位的 SK 海力士，对下代 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存量产线的设备采购节奏做出调整，暂缓了新技术的应用。
　　当前，SK 海力士的主力 HBM 产品 HBM3E 以及即将投入量产的 HBM4，均是基于 1b 工艺的 DRAM。未来，其 HBM4E 才会引入 1c 制程。在 HBM 市场，SK 海力士凭借过往产品的出色表现，树立了良好的声誉。以英伟达为代表的 AI 芯片企业，对其 HBM 内存有着巨大的需求。同时，HBM 的盈利能力也显著高于传统 DRAM。这两大因素促使 SK 海力士专注于扩大 1b DRAM 的产能。
　　值得一提的是，在三大内存原厂中，SK 海力士率先完成了 1c nm 的 DDR5 开发，实现了速度提升 11% 和能效改进 9% 的佳绩。然而，在 1c nm LPDDR5x 的研发进度上，它却被美光反超。