MOSFET器件选型的3大法则
俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师,在项目开始之前、器件选型之初,就要做好充分考虑,选择...
日期:2021-10-27
在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应
设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电...
日期:2020-01-13
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件...
日期:2019-01-29
Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内水平
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件...
日期:2019-01-28
英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成员9...
日期:2018-08-27
基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案
导读:介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有...
日期:2014-04-03
基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究
摘要:绝缘体上硅(Silicon On Insulator,简称SOI)以其独特的材料结构有效克服了体硅...
日期:2014-01-22
使用于嵌入式功率系统的先进100V MOSFET器件
高效的AC/DC SMPS与DC/DC转换器是现代功率架构的主干,用於驱动诸如电信或计算机此类系统。为了满足市场对...
日期:2011-07-10
飞兆半导体采用Power 56封装的MOSFET器件
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON)低...
日期:2009-09-07
Diodes推出适合LCD背光应用的新型MOSFET器件
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列,推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新...
日期:2009-08-12
飞兆半导体双MOSFET器件为同步降压应用提供高效率和高功率密度
日前,飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200,可为笔...
日期:2009-07-09
飞兆针对便携应用推出MOSFET器件FDZ391P
为满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求,飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出采用1×1.5×...
日期:2008-11-10
瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的高频功率MOSFET器件
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现业界最高功效级...
日期:2008-06-06
瑞萨科技高效大功率MOSFET器件RQA0010
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.),推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现业界最高功效级别*1...
日期:2008-06-02
飞思卡尔新推9.0V~18V四组输出集成MOSFET器件
随着电子制造商把越来越多的功能封装到更小的器件,空间在电源供给以及系统主板上就显得尤为珍贵。为了帮助...
日期:2008-05-30
飞兆推出11种面向电机控制应用的新型30/40V MOSFET器件
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 扩充其AEC-Q101的30V和40V MOSFET产品系列...
日期:2007-12-22
IR新型MOSFET器件符合IEEE802.3af,节省80%设计空间
国际整流器公司(IR)日前推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内,可满足...
日期:2007-12-12
飞兆半导体推出新低导通阻抗600V SUPERFET MOSFET器件系列
飞兆半导体公司开发出新的低导通阻抗600VSuperFETMOSFET器件系列,专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK...
日期:2007-12-11
飞兆推出80V N沟道MOSFET器件(图)
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器...
日期:2007-12-07
飞兆推出最小尺寸MOSFET器件,持续电流突破1A
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件——FDC6020C,为微型“点”功率...
日期:2007-12-04
飞兆推出80V N沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器...
日期:2007-12-04
Fairchild推出P沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司(Fairchild)推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P,可为各种低压(<20V)便携式电子产...
日期:2007-12-04
IR新型MOSFET器件为PoE应用节省80%的占位空间
国际整流器公司(IR)近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内,可满足...
日期:2007-11-29
飞兆半导体推出推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界...
日期:2007-11-23
飞兆推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界...
日期:2007-09-26