ISL71091SEHxx 电压基准的四种变体的总剂量测试结果。这些测试的目的是评估零件的总剂量硬度及其剂量率和偏差敏感性。测试还增加了偏置高温退火，以观察零件的加速老化响应。样品在偏压下进行辐照，所有引脚均以低剂量率和高剂量率接地。ISL71091SEHxx 变体在逐个晶圆的基础上进行了验收测试，在高剂量率（50 至 300 rad(Si)/s）下达到 100 krad(Si)，在低剂量率（0.01 rad(0.01 rad) 下达到 50 krad(Si)）。 Si)/s)，确保两种剂量率的硬度达到指定水平。
    的 ISL71091SEHxx 型号包括 ISL71091SEH20（2.048 V 标称输出电压）、ISL71091SEH33（3.3 V 标称输出电压）、ISL71091SEH40（4.096 V 标称输出电压）和 ISL71091SEH10（10.0 V 标称输出电压）。这些变体使用相同的基础芯片，输出电压在晶圆制造过程中通过多个掩蔽级别进行选择，然后终通过在探针和封装级别进行微调（编程熔丝）进行调整，以获得指定的输出电压。该封装仅包含硅芯片，并且没有用于设置输出电压的单独的内部或外部无源元件（即电阻器或电容器）。
    ISL71091SEHxx 在低剂量率和高剂量率照射下均表现出良好的性能。所有样品均通过了 SMD 中规定的总剂量水平的辐照后规格。我们在关键输出电压参数中观察到一些剂量率敏感性和偏置敏感性，并且该部件被认为是中低剂量率敏感的。我们还看到了经过该程序的零件中有趣的偏置高温退火响应，这些响应也将被讨论。
    部分说明
    ISL71091SEHxx 是一款低噪声精密电压基准，具有 4.6V 至 30V 的宽电源电压范围（3.3V 型号），具有通过不同掩蔽级别和片上微调选择的四种输出电压选项。ISL71091SEHxx 基于 Intersil PR40 粘合晶圆工艺构建，该工艺使用电介质隔离来实现重要的电气和 SEE 性能改进。ISL71091SEHxx 提供四种输出电压选项，包括 2.048V、3.3V、4.096V 和 10.0V，并具有 6 ppm/°C 温度系数以及出色的线路和负载调节。该器件可实现低于 5.2 μV 的峰峰值（0.1 Hz 至 10 Hz，3.3 V 版本）噪声，+25 °C 时的初始电压精度为 ±0.05%，辐射范围内的初始电压精度为 ±0.25%。该器件采用 8 引线密封扁平封装和芯片形式。应用包括仪器仪表、
    测试说明
    辐照设施
    使用位于佛罗里达州棕榈湾 Intersil 工厂的 Gammacell 220? 60Co 辐照器以 68 rad(Si)/s 的标称剂量率进行高剂量率测试。使用 Intersil Palm Bay N40 全景低剂量率 60Co 辐照器以 0.01 rad(Si)/s 进行低剂量率测试。使用设定为+100°C的小型温度室进行辐照后高温偏置退火。
    测试夹具
    图 1 显示了用于偏置照射的配置。接地辐射是在相同的夹具类型中进行的，但所有引脚都硬连线接地。也使用该配置进行辐照后高温偏置退火。
    图 1 ISL71091SEHxx 的偏置辐射配置
    表征设备和程序
    所有电气测试均在辐照器外部使用生产自动化测试设备 (ATE) 进行，并在每个停机点进行数据记录。所有下点电气测试均在室温下进行。每个变体使用三个或四个控制单元来验证可重复性。