新工艺运放面向高压工业应用

高电压工业环境对高运算放大器的性能要求苛刻，德州仪器(TI)为此推出OPA211和OPA82两款放大器。它们与业界同类36V放大器相比，均实现了超低噪声、低功耗、小封装尺寸和高带宽，适合于测试测量、仪表、影像、医疗、音频和过程控制等应用。这两款放大器是采用TI公司独创的BiCom3HV“互双极36V硅锗（SiGe）”工艺开发的首批器件。
　　OPA211（见图1）是双极输入运算放大器，仅需3.6mA电源电流即可实现1.1nV/√Hz电压噪声和80MHz增益带宽(GBW)。该器件具有 100mV失调电压，0.2mV/℃失调电压漂移和低于1ms的建立时间，非常适合于驱动数据采集系统中的高模数转换器。此外，该器件还支持轨至轨输出振幅，从而扩大了动态范围。OPA211工作电源电压范围为±2.25V~±18V，采用8引脚MSOP封装或8引脚DFN封装。3mm×3mm DFN封装面积仅为标准8引脚SO封装的三分之一。

　　OPA827（见图2）是JFET输入运算放大器，它结合了的DC和AC性能。其中DC性能为4.5nV/√Hz电压噪声，250mV失调电压，1mV/℃失调电压漂移

以及400nV_PP频率噪声。AC性能为18MHz GBW，22V/ms电压摆率和在1kHz频率条件下具有0.0004%总谐波失真(THD)。OPA827的工作电源电压范围为±4V~±18V，电源电流只需4.5mA。该器件采用8引脚MSOP封装，与8引脚SO封装相比占用面积减少了一半。

　　BiCom3HV工艺率先采用硅锗技术的36V工艺，实现了高速度、低噪声、低功耗等特性，可满足未来高电压工业应用的需求。该工艺引入硅绝缘体(SOI)技术缩小了晶体管尺寸，从而TI晶体管尺寸仅为采用工艺技术的同类产品的1/11。SOI还具有其它优势，例如低泄漏电流和更小晶体管间影响。BiCom3HV工艺非常适合于新一代工业电压运算放大器（双极输入和FET输入）、仪表放大器、可编程增益放大器和高参考。