这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面成熟DMOS技术生产的。这项先进技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合高效开关DC/DC转换器、开关电源、用于不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。
8.8A，250V，RDS（开启）=430m?（最大）VGS=10V，ID=4.4A
低栅极电荷（典型值26.5nC）
低铬（典型值45.5pF）
100%雪崩测试
漏源极电压(Vds)：250V
上升时间：85ns
输入电容(Ciss)：545pF25V(Vds)
额定功率(Max)：38W
下降时间：65ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：38000mW
安装方式：ThroughHole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.16mm
宽度：4.7mm
高度：9.19mm
封装：TO-220-3
含铅标准：LeadFree
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
