供应**童 KA1M0680RBYDTU

输出隔离	隔离
频率范围	61kHz ~ 73kHz
电压 - 输入	11 V ~ 30 V
电压 - 击穿	800V
电压 - 输出	-
功率 (W)	150W
工作温度	-25°C ~ 85°C
封装/外壳	TO-*-5

输出隔离	隔离
频率范围	61kHz ~ 73kHz
电压 - 输入	11 V ~ 30 V
电压 - 击穿	800V
电压 - 输出	-
功率 (W)	150W
工作温度	-25°C ~ 85°C
封装/外壳	TO-*-5

输出隔离	隔离
频率范围	61kHz ~ 73kHz
电压 - 输入	11 V ~ 30 V
电压 - 击穿	800V
电压 - 输出	-
功率 (W)	150W
工作温度	-25°C ~ 85°C
封装/外壳	TO-*-5

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。