原装*场效应IRF3205PBF

FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源*电压 (Vdss)	55V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）	110A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）	8 毫欧 @ 62A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)	146nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	3247pF @ 25V
功率 - *大值	200W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB

深圳市东柏森电子有限公司（原：深圳市福田区锦煜电子商行）成立于2004年，*从事电子元器件贸易的配套服务，致力于原装IR（国际整流器公司）、VISHAY（威世）、ST（意法半导体）、FAIRCHILD（*童）、英飞凌（Infineon）的各种场效应管、IGBT、三*管、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等品牌元件的配套服务。应用范围：电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、电焊机、工业传动装置、LED照明功放/舞台设备整流器/*灯等各种产品上。我们货源充足，品种*,价格合理，在国内市场中具备良好的竟争优势,能给众多生产商*丰厚的经济效益。

＇＇品质*、价格合理、交货快捷、服务至上、客户*”是公司*秉持的发展理念和宗旨。通过强大的市场服务网络体系向企业提供规范化、*化、多元化、*的优质配套服务，真诚欢迎海内外用户前来洽谈合作，共谋发展和建立长期的合作关系！

场效应晶体管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。

它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为单*性晶体管，以它的单载流子型作用对比双*性晶体管。尽管由于半导体材料的限制，以及曾经双*性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双*性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双*性晶体管早

型号/规格

IRF3205PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO220

*类别

无铅*型

安装方式

直插式

包装方式

原装管条50个装

功率特征

*率

供应原装*场效应IRF3205PBF