供应**童 FQU2N60CYU

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FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 1.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 4.7 欧姆 @ 950mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 235pF @ 25V
功率 - *大值 2.5W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。

型号/规格

FQU2N60*U

品牌/商标

*童

封装形式

TO251

*类别

无铅*型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

*率