供应*ST STW30NM60ND
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 功能 | 标准 |
漏源*电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) | 25A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) | 130 毫欧 @ 12.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 100nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2800pF @ 50V |
功率 - *大值 | 190W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247- |
STW30NM60ND
ST(意法半导体)
TO247
无铅*型
直插式
单件包装
*功率